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HT3031V

产物概述

HT3031产物是单节锂离子/锂聚合物可充电电池组掩护的高集成度处理计划。HT3031包含了进步前辈的功率MOSFET,高精度的电压检测电路和延时电路。

HT3031具备很是小的SOT23-5的封装,这使得该器件很是合适利用于空间限定得很是小的可充电电池组利用。

HT3031具备过充,过放,过流,短路等统统的电池所必要掩护功效,并且任务时功耗很是低。

该芯片不只仅为手机而设想,也合用于统统必要锂离子或锂聚合物可充电电池长时候供电的各类信息产物的利用场所。

 

首要特色

充电器反接掩护功效;

外部集成等效55mΩ(典范值)的功率MOSFET;

超小封装SOT23-5

核心电路简略

过温掩护

过充电电流掩护

2段过流掩护:1.过放电电流; 2 .负载短路电流;

充电器检测

0V电池充电功效

提早时候外部设定

高精度电压检测

低静态电流:一般任务电流: 2.8μA待电机流: 0.1uA

兼容ROHS和无铅规范


典范利用

单芯锂离子电池组

锂聚合物电池组


典范利用电路

如图:粗线局部是过大电流线路,必须尽能够的短。为了避免温度降低会致使的导线被烧断,是以粗线局部必必要有充足大的半径。去偶电容C1、C2要离HT3031尽能够的近

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