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HT2269

产物概述 

HT2269是一种高度集成的电流型PWM节制芯片,对高机能、低待机功率和低本钱的离线反激转换器利用法式停止了优化。

一般操纵的PWM开关频次在外部可编程,并被调剂到窄幅。在无负载或轻载状况下,芯片以扩大的“间歇振荡形式”运转,以削减开关消耗。从而完成了较低的待机功率和更高的转换效力。

VDD低启动电流和低任务电流在启动设想上为HT2269供给了靠得住的电源。是以,能够在启动电路中利用一个比拟大电阻来减小待机功率。

外部的斜波弥补进步了体系的大旌旗灯号不变性,下降了高PWM任务周期输入能够的二次谐波振荡。在电流检测输入真个前沿消隐消弭了因为阻尼电路二极管反向规复而发生的旌旗灯号毛病。这极大地削减了利用法式中的外部器件数目和体系本钱。

HT2269供给了完美的掩护功效模块,主动规复功效包含周期轮回的过流掩护(OCP)、过载掩护(OLP)、超温掩护(OTP)、VDD过电压掩护(OVP)和低电压锁定(UVLO)。为了掩护功率MOSFET,Gate驱动输入箝位在18V。

在HT2269中,OCP阈值斜率在外部优化,到达了通用交换输入规模的恒定输入功率极限。

良好的EMI特征是在图腾柱门驱动输入中完成抖频手艺和软开关节制。

在任务中20KHZ以下的音频能量最小化,是以音频噪声的机能获得了很大的进步。

HT2269供给了SOP8和DIP8封装。



首要特色

  • 加强式突发形式节制为进步效力和最小待机功率设想

  • 无噪声操纵;

  • 外置可调剂的PWM开关频次;

  • 内置同步斜率弥补;

  • 低VIN / VDD启动电流(6.5 ua)和低任务电流(2.3mA);

  • 在电流检测输入上内置前沿消隐;

  • 完美的掩护和主动规复功效;

  • 外置可调剂的过温掩护(OTP)

  • 内置OVPUVLO掩护;

  • Gate输入最大电压箝位(18V);

  • 内置周期轮回的过流掩护(OCP);

  • 内置过载掩护(OLP);

  • 接纳SOP8DIP8封装。


 

典范利用电路

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